瑞萨电子推出新一代Si IGBT 用于电动汽车逆变器

　　8月30日，半导体解决方案供应商瑞萨电子公司宣布开发新一代Si-IGBT。该产品体积小且功率损耗低，可用于下一代电动汽车逆变器。

　　根据该公司的计划，2023年上半年，该AE5代IGBT将在瑞萨电子日本Naka工厂的200和300毫米晶圆生产线年上半年，瑞萨电子将开始在其位于日本甲府的新功率半导体300毫米晶圆厂提高产量，以满足市场对功率半导体产品不断增长的需求。