重庆 寸的生产线主要生产 电源管理芯片等功率

　　外延：资本助力打开华润微广阔成长空间

　　外延：并购整合扩大业务范围，布局 12 英寸晶圆生 产线

　　华润微与集团多元化业务形成协同效应。华润微是华润集团旗下从事微 电子业务投资、发展和经营管理的高科技企业，公司将利用华润集团内部丰 富的物联网的场景，从应用端出发，带动核心芯片，包括传感器的研发，推 动公司的产品从消费电子领域向工业控制和汽车电子领域做转型，公司与集 团内公司共同推进产品技术的研发，特别聚焦于传感器领域的研发工作。

　　背靠强大股东背景有望继续并购整合半导体企业。功率半导体下游应用 广泛，定制化程度较高，对器件的可靠性和稳定性要求较高，功率半导体企 业在进行产品开发的过程中，通常需要将设计环节与制造和封装环节结合， 共同进行器件工艺参数的调整，方能达到不同应用场景对器件的高可靠性要 求，这使得功率半导体企业需要具有较丰富的工艺经验的积累。

　　由于中国半 导体企业起步较晚，目前与国外大厂还有较大差距，想要实现赶超，一是自 身的产品工艺的迭代速度超过国外大厂，以弥补起步晚的短板，在若干年的 积累后有望实现赶超；二是通过不断的外延并购整合，将成熟的不同板块的 功率半导体企业整合进公司主体，获得已经积累的成熟技术和工艺经验，实 现跨域式发展。

　　公司背靠华润集团，百分百国资控股，在成立之初即进行不 断的外延并购整合，目前已拥有从事产品设计、晶圆制造和封装测试领域的 13 家子公司，业务版图逐渐扩大。

　　另外，华润集团业务覆盖范围广，涵盖大 消费、大健康、城市建设与运营、能源服务、科技与金融等领域，公司在华润集团内部协同的效应下，与华润集团多元化的业务场景结合，公司产品具有潜在的广泛应用空间。

　　华润微通过并购整合不断扩大业务范围。公司自成立以来不断进行并购 整合，2001 年并购华润矽科微电子，建立功率器件设计业务；2002 年收购 华晶电子，将 6 英寸 MOS 晶圆代工业务纳入公司运营实体；2008 年华润集 团将华润华晶、华润安盛和华润赛美科等公司置入公司运营实体； 2017 年 收购中航微电子 52.41%股份，进一步增强了公司 IDM 全产业链一体化的运 营实力；2019 年收购杰群电子 35%股权，开始进入汽车电子领域。

　　4.2、上市公司体外仍有 12 寸线 寸线 英寸生产线为控股子公司重庆华微所有，公司持有 重庆华微 52.69%股权比例，剩余 47.31%股权为重庆西永所有。

　　公司持有的 重庆华微股权为 2017 年由国务院国资委从中航电子体系内无偿划转至公司 运营体系内。重庆 8 英寸产线主要服务于公司自有产品制造，该产线拥有沟 槽型和平面型 MOS、沟槽型和平面型 SBD、屏蔽栅 MOS、超结 MOS、 IGBT、 GaN 等功率器件生产技术，面向消费电子、工控和汽车电子等终端市场，年 产能约 60 万片。

　　华润微电子（重庆）有限公司 2019 年收入和净利润约 10.7 亿元和 2.45 亿元。

　　2、华润微布局 12 英寸高端功率器件产线 英寸晶圆生产线主要应 用在存储器和数字逻辑的集成电路工厂中，聚焦功率半导体特殊工艺晶圆生产线 英寸产线则较少，华润微在重庆启动的 12 英寸生产线为国内全内 资的第一条专注功率半导体特殊工艺的生产线 年公司与重庆地方政府签订了协议，与重庆西永微电子产业园区 开发有限公司规划在未来共同发展 12 英寸晶圆生产线项目，在重庆公司现 有厂房内建一条 12 英寸生产线，该项目按原定计划推进中，正在履行相关 审批程序，计划 2020 年启动该项目。该产线nm 工艺我们今年与 合作伙伴启动重庆 12 寸的生产线的建设项目。

　　重庆 12 寸的生产线主要生产 MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品，为进入工业控制和汽 车电子领域做准备。

　　4.3、募投资金重点布局 8 英寸扩产与先进技术研发公司

　　公开发行股票所募集的资金扣除发行费用后拟将 30 亿元投资于 8 英寸高端传感器和功率半导体建设项目、前瞻性技术和产品升级研发项目、 产业并购及整合项目和补充营运资金。

　　一、8 英寸高端传感器和功率半导体建设项目：

　　8 英寸产线 亿元，主要围绕公司聚焦功率半导 体以及智能传感器的战略布局，完成基础厂房和动力设施建设以推进工艺技 术研发，提升 8 英寸 BCD 工艺平台的技术水平并扩充生产能力；

　　同时建立 8 英寸 MEMS 工艺平台，完善外延配套能力，保持技术的领先性。首期项目 投产后，计划每月增加 BCD 和 MEMS 工艺产能约 16,000 片。本项目不新 增用地，利用公司自有存量土地，计划建设生产及动力辅助厂房建筑占地面 积约 4,400 平方米，并对约 5,700 平方米的现有厂房进行洁净室改造。

　　本项目从前期准备阶段至项目验收计划周期为 2.75 年：其中前期准备 阶段 15 个月，项目建设阶段 12 个月，项目验收阶段 6 个月。本项目自 2018 年 9 月启动。

　　二、前瞻性技术和产品升级研发项目： 公司拟利用现有研发体系开展前瞻性技术和产品研发工作，通过配置先 进设备、引入高端人才、充分利用产业链一体化的生产能力及技术资源，拓 展公司在相关领域的自主创新能力和研发水平，保持公司技术的领先地位， 主要从事第三代半导体功率器件设计及工艺技术研究、功率分立器件及其模 组的核心技术研发、高端功率 IC 研发和 MEMS 传感器产品研发。

　　（1）第三代半导体功率器件设计及工艺技术研究 以SiC与GaN为代表的第三代宽禁带半导体功率器件具有高击穿电压、 高功率密度、耐高温、高频工作等优势，适用于大功率、高频率与恶劣的工 作环境。根据 Yole Development 预测，到 2020 年，全球 GaN 功率器件整 体市场规模可达到 3 亿美元以上，2016 年至 2020 年复合增长率高达 80%， 同一时期，SiC 市场规模由 3 亿美元增长至近 6 亿美元，复合增长率为 28%。 公司拟充分利用 IDM 模式优势和在功率器件领域雄厚的技术积累开展 650V 硅基 GaN 器件、SiC JBS 器件和 SiC MOSFET 产品的设计研究和工艺技术 研发工作。

　　（2）功率分立器件及其模组的核心技术研发 电力电子功率器件是新能源和高效率电源管理方案的核心器件，被广泛 的应用于电动汽车、电能储能、光伏风能、不间断电源、智能电网、高速列 车等多个领域，其中，IGBT 器件被公认为是 21 世纪新一代电力电子功率器 件中最具代表性的产品之一，国际知名的功率半导体厂商走在开发 IGBT 功 率器件的前列。本项目拟充分利用公司一体化优势，在产品设计、工艺平台 与封装测试三大环节同时开展 IGBT 与 IPM 模块研发。研发内容包括新一代Trench-FS IGBT 芯片结构设计、SOI 衬底单芯片 IPM 工艺技术开发及二合 一封装三套 IPM 封装技术方案等。